Marvell Semiconductor, Inc.

<p> – high level of integration with sophisticated PWM controllers </p>

– keep the parasitic inductance at a moderate level

På Oak Ridge National Laboratory arbetar man med en biomolekylär optoelektronisk komponent, som även den skall kunna möjliggöra seende. Här försöker man använda sådana vegetabiliska fotosyntetiska pigment som ger energi till ämnesomsättningen. Forskarna har satt in vegetabiliska molekylära fotoelektriska pigment i näthinnans cellmembran för att återställa funktionen hos fotoreceptorerna. I dessa små reaktionscentra” har man kunnat mäta upp små elektriska spänningsförändringar när de utsattes för ljus. Med en potentialskillnad på 1 V går det att trigga neuronerna i näthinnan. Praktiskt har man idag kommit så långt att det går att uppfatta ljusförändringar; vidare framsteg ligger fortfarande långt bort.

Klicka här för att ladda ned artikeln med alla illustrationer i PDF-format.

TNPW12063K20BEEA_Datasheet PDF

Den industriella produktionen har kommit i gång ganska långsamt, bl a på grund av de svårigheter som är förknippade med kapsling av mikromekaniska komponenter samt vidhäftningsproblem. Båda dessa kan underlättas med hjälp av ett nytt tillverkningstekniskt verktyg, som vi har valt att kalla nanosåll.

Med hjälp av mikromekanik är det möjligt att framställa ett brett produktsortiment för tilllämpningar inom medicin, informationsteknik och konsumentelektronik. En del av dessa produkter kan tillverkas framgångsrikt i laboratoriemiljö, men då produktionen skall ske industriellt stöter man ofta på problem. Det här gäller speciellt så kallade öppna komponenter, där luftmellanrummet under rörliga balkar, plattor eller kamrar är i direkt kontakt med den omgivande atmosfären. Med användning av ordinära metoder är det mycket svårt, närapå omöjligt, att såga isär och inkapsla den här typen av komponenter. Fuktig luft som tränger in i mellanrummet förorsakar instabilitet och att rörliga delar häftar fast vid underlaget. En del av komponenterna är däremot slutna, som vissa tryck- och ultraljudskomponenter. I deras fall är det synnerligen viktigt att behärska en teknik som möjliggör hermetisk förslutning.

Traditionell förslutning Vid tillverkning av slutna mikromekaniska komponenter, som ultraljudssändare och -mottagare använder man i allmänhet etsningskanaler eller -öppningar som definierats med hjälp av litografi, se fig 1. Genom dessa kanaler eller öppningar etsar man bort det skikt som ligger under komponentens ytskikt. Till sist försluter man etsningskanalens öppning med tunnfilmer, vilka dock inte får tränga för djupt in i kaviteten. Ju mindre öppningen är, desto enklare blir förslutningen, men samtidigt blir tillverkningsprocessen dyrare. För att tillverka små etsningsöppningar används elektronstrålelitografi, men förutom att detta är en dyr metod måste öppningarna skrivas var för sig på varje komponent.

TNPW12063K20BEEA_Datasheet PDF

Nanosåll i tillverkning Vi har gett namnet nanosåll åt en tunnfilm, som har nanometerstora hål på ett känt och reglerbart avstånd från varandra. Tunnfilmen deponeras på kiselskivans yta och möjliggör att etssyra kan tränga ner till offerskiktet (sacrificial layer) genom tunnfilmens nanoöppningar. Syran når endast till de delar av komponenten där man så önskar. I nästa steg är det lätt att täppa till öppningarna med någon tunnfilmsdepositionsmetod utan precisionslitografi. I allmänhet minskar också antalet masklager jämfört med traditionella förslutningsmetoder. Med användning av nanosåll kan man uppnå ett högt utbyte till låg tillverkningskostnad. Fig 2 visar hur VTT:s process utnyttjar en tjockare, hålfri tunnfilm som hjälpskikt. Nanosållet är i detta fall endast i kontakt med offerskiktet via de öppningar som har gjorts i hjälpskiktet.

Nanosållet är i allmänhet av polykristallint kisel. Fig 3 är en bild av ett dylikt sampel tagen med infrarödmikroskopi. IR-ljuset som används vid fotograferingen tränger igenom de yttersta tunnfilmsskikten, varvid man kan se hur etsningen har propagerat under hjälpskiktet. Efter etsning och torkning vakuumdeponeras det skikt som försluter komponenten och därmed förblir kaviteten i vakuum. I fig 4 visas som exempel en ultraljudssändare bestående av 500 element, vars alla celler är felfria och funktionella. Eftersom nästan alla membran förblir hela under tillverkningsprocessen, kan man ännu utföra ytterligare processteg,t ex metallisering och passivering av ytan.

TNPW12063K20BEEA_Datasheet PDF

Nanosåll i soi-komponenter Tunnfilmernas tjocklek ligger typiskt kring 1 µm. VTT har utvecklat en processvariant, där nanosåll utnyttjas på SOI-substrat (Silicon On Insulator) för membran som är cirka tio gånger så tjocka. Genom SOI-skivans aktiva skikt, som består av monokristallint kisel, etsas små hål med en diameter av cirka 1 µm, ner till den underliggande oxiden. Nanosållet som därpå deponeras, täcker alltså oxidytan i de utetsade hålen. Deponeringen måste ske så, att det på botten av varje hål återfinns åtminstone ett nanohål. Oxidetsningen sker sedan såsom ovan har beskrivits. Därefter fylls SOI-skiktets öppningar med en så kallad Plug-Up process, se fig 5. SOI-substratet har nu vakuumkaviteter på de önskade, i förväg definierade områdena. På dessa områden kan man senare frigöra olika mikromekaniska komponenter genom torretsning, utan användning av aggressiva kemikalier. Avsaknaden av sköra tunnfilmsmembran på substratet ger möjligheter till vidare processning och att till exempel utföra en hel IC-tillverkningsprocess ovanpå. Metoden erbjuder ett nytt sätt att tillverka MEMS-sensorer med monolitiskt integrerad läselektronik med verkliga synergieffekter: IC- och MEMS-delarna har många gemensamma tillverkningsskeden. Detta är nytt jämfört med de processbeskrivningar som har presenterats i litteraturen på området. Som en biprodukt av tillverkningsprocessen får man dessutom knölar (bumps) som förhindrar vidhäftning på bottnen av MEMS-skiktet, se fig 5. En SOI-skiva som innehåller både MEMS och integrerade kretsar visas i fig 6.Sammantaget har nanosålltekniken en rad fördelar:• inga långa etsningskanaler• ingen nanolitografi• plana membran• enkel, hermetisk förslutning av nanohålen genom tunnfilmsdeponering• ingen filmdeposition inuti kaviteterna genom nanohålen• fortsatt processning är möjlig efter att membranen har bildats• metallskikten behöver inte kunna stå emot fluorvätesyra (används vid etsning av oxid) • häftningsförhindrande knölar fås som biprodukt inom SOI-tekniken• integrering av läselektronik blir möjlig• sågning och inkapsling kan göras med standardmetoder

Sunnyvale, Calif. – Two new LVCMOS/LVPECL clock drivers/repeaters from Maxim Integrated Products offer 3-picosecond maximum rms random jitter for applications that demand low pin-to-pin skew and precise signal/clock distribution.

Service-area identity (SAI) is an advanced positioning technology used in W-CDMA networks to determine the physical location of a mobile subscriber. Deployment of SAI positioning is thought to be possible with minimum additional network investment, because GSM and W-CDMA network architectures can use the same positioning calculation and mobile-location servers. There is little cost burden for terminals, since SAI does not require support from them.

Radiolinja is one of the first companies to focus on location-based services in Finland and the rest of Europe. The first commercial services were launched this spring.

Communicant Semiconductor Technologies AG, a Frankfurt, Germany-based silicon germanium carbon(SiGe:C) BiCMOS and LDMOS foundry, today named HelmutBrunner as chief operating officer.

Brunner will lead the company'sconstruction and manufacturing operations, reporting directly to AbbasOurmazd, CEO.

Brunner was most recently general manager of Siemens' ElectronicManufacturing Center in Vienna, Austria. He has held senior generalmanagement and plant management positions in semiconductor manufacturing inGermany, England, Austria and France.

För RISC behöver inte betyda att allt gammalt kastas ut. Kan man göra en effektiv pipeline och en effektiv superskalär arkitektur av en gammal CISC-arkitektur, så fungerar det också. Kiselarean kanske blir större, men skillnaden är inte så våldsamt stor. Idag har Intel i praktiken konkurrerat ut de flesta RISC-arkitekturer som skulle ersätta x86. De nya x86- eller IA32-baserade processorerna är våldsamt snabba, vare sig de är från Intel eller AMD. Skulle man ha kunnat göra samma sak med 68000?— Självklart. Det hade varit lätt att vidareutveckla 68000 på samma sätt som x86. Det hade till och med varit mycket lättare. Sedan kan man alltid spekulera i vad som skulle ha hänt om vi valt den vägen.

Copyright © 苏ICP备11090050号-1 tl431 datasheet All Rights Reserved. 版权投诉及建议邮箱:291310024@725.com