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<p>Toshiba's 90nm CMOS4 technology uses 11 layers of copper interconnect and low-k insulating material. Compared with the company's 0.13-micron process, it doubles gate density to 400,000 gates per sq. mm, decreases gate delay to 11ps, and reduces power consumption 50% to 7nW/MHz/gate.</p>

The asset purchase includes Trillium's software protocol stacks for the Internet Protocol (IP) telephony, wireless, broadband, and signaling markets. Financial terms were not disclosed.

While all these events indicate that oversupply should continue in the DRAM market, they failed to impact DRAM prices amid generally slow DRAM purchasing activity.

DANVERS, Massachusetts, USA — Ibis Technology Corp., ein Hersteller von SOI-Wafern (Silicon-on-Insulator”-Wafers) gab heute (7. Januar, 2003) bekannt, dass das Unternehmen ein Abkommen für gemeinsame Entwicklungsarbeiten mit IBM Corp. abgeschlossen hat, mit dem Ziel, ein verbessertes MLD-Verfahren (MLD: Modified Low-Dose”) zur Herstellung von SIMOX-SOI-Wafers zu entwickeln. Ibis nutzt bereits ein von IBM entwickeltes MLD-SIMOX-Verfahren, das unter dem Namen Advantox MLD vertrieben wird.

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Laut beider Unternehmen sollen unter diesem Abkommen kostengünstigere SIMOX-SOI-Wafers von besserer Qualität und mit dünneren Siliziumschichten produziert werden. Die Arbeiten werden sowohl bei Ibis als auch an den IBM-Standorten durchgeführt.Es wurden weder ein Zeitplan für die Arbeiten noch ein Datum für die geplante Einführung der Endprodukte angegeben.

Beim SIMOX-Verfahren(Separation by Implantation of Oxygen”) wird die Ionenimplantation verwendet, um Sauerstoffionen in hoher Dosis auf die Oberfläche von Silizium-Wafern zu schießen. Durch Wärmebehandlung bildet sich eine geschlossene Schicht Siliziumdioxid in der Tiefe, die von der Oberfläche und dem Rest des Siliziums getrennt wird. Die Distanz der elektrisch isolierenden Siliziumdioxidschicht von der Wafer-Oberfläche und den Siliziumbereichen hängt von der verwendeten Ionenimplantationsenergie und der Fähigkeit der genauen Steuerung ab. Das SIMOX-Verfahren wird zwar bereits seit über 20 Jahren eingesetzt, es ist jedoch nur eines von vielen Verfahren zur Herstellung von SOI-Wafern.

SOI-CMOS bieten im Vergleich zu Bulk-CMOS bedeutende Vorteile. Dies wurde anhand der kommerziellen Produktion von Hochleistungs-Mikroprozessoren seit 1998 mehrfach beweisen. Heute werden die größten und schnellsten Server-Mikroprozessoren unter Einsatz der SOI-CMOS-Technologie hergestellt. SOI wird von immer mehr Unternehmen verwendet und der Einsatz von SOI-Wafern weitet sich auf kostengünstigere Mikroprozessoren und andere integrierte Schaltkreisprodukte aus,” meinte Ghavam Shahidi, ein IBM Fellow und Direktor für das Programm High Performance Logic Development” der Mikroelektronikabteilung von IBM in einer Verlautbarung.

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Wir nähern uns schnell der 0,1-Mikron-Generation und noch weitreichenderen Entwicklungen, und wir erwarten, dass SOI für eine Vielzahl von Geräten, einschließlich komplizierter Designs, die Multiple-Gate”-Transistoren, Strained Silicon” und sogar dreidimensionale integrierte Schaltkreise verwenden, eingesetzt wird,” fügt Shahidi hinzu.

Die unter dieser Vereinbarung geleisteten Arbeiten werden zu einem wichtigen wissenschaftlichen Vormarsch auf dem Gebiet von SIMOX-SOI führen, und dies zu einem Zeitpunkt, an dem immer mehr Chiphersteller sich für SOI als wichtigen Bestandteil ihrer Technologiepläne entscheiden,” meint Martin Reid, Generaldirektor und CEO von Ibis Technology, in der gleichen Verlautbarung. Der wichtigste Punkt ist jedoch, dass SIMOX-SOI-Wafer-Substrate, in die die Neuerungen dieses gemeinsam entwickelten verbesserten MLD-Verfahrens integriert sind, sich für die Produkte eines führenden Herstellers integrierter Schaltkreise qualifizieren sollen und allen Ibis-Wafer-Kunden zur Verfügung stehen werden,” fügte Reid hinzu.

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Ibis ist ein Serienhersteller von SIMOX-Wafern und hat zudem zwei Sauerstoffionen-Implanter entwickelt. Im März 2002 führte das Unternehmen den Ibis i2000 Implanter auf dem Markt ein.

Tokyo, Japan — Japanese mobile operator NTT DoCoMo is prepared to pay up to half the costs of developing third-generation mobile phone handsets in an effort to kick-start its struggling FOMA 3G service. So far, the expense of developing handsets has been met fully by the manufacturers.

The VXS base specification (VXS.0) defines the physical, mechanical and power features that enable high-speed switched serial communication within a VXS-compatible system. Each different fabric technology is defined in a document subordinate to the base specification. For example, VXS.1 builds upon the VXS base specification by describing how VXS boards may communicate using the 4X Infiniband protocol, and VXS.2 describes how VXS boards may communicate using the 4X Serial RapidIO protocol. Other link-technology specifications are being added.

VXS also provides a home for myriad proprietary fabric extensions that have grown on VME over the years. Until the recent announcements regarding the improved speed of the VME bus using the 2eSST protocol, underpowered bus performance sometimes drove users to add another interconnect to their VME chassis.

As a result, many users migrating to VXS will be coming from their own home brew” fabric that they have bolted on to VME in a proprietary manner. One method of implementing those proprietary high-speed fabrics in a VXS context is through the use of field-programmable gate arrays (FPGAs).

The latest generation of FPGAs offers integrated 3.125-Gbit/s transceiver features including dedicated circuitry for 8B/10B encoding/decoding, clock-data recovery and serdes functions.

Those devices also provide other useful elements like phase-locked loops for clock multiplication and division. Since they are implemented in dedicated hardware, those features provide maximum performance while consuming none of the programmable-logic resources of the device. That set of features makes the FPGAs ideal for serving as the serial interface on the payload card to the switch fabric.

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The MicroPOD is intended for process controls, and computer and switching systems that can't be without power, even for scheduled maintenance. For those applications that absolutely cannot shut down, we've designed an easy-to-use, easy-to-implement maintenance bypass product,” said Zajkowski.

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